Fraunhofer IISB (Institut za integrirane sustave i tehnologiju uređaja) sa sjedištem u Erlangenu i proizvođač mikrovalnih i radiofrekventnih plazma sustava PVA TePla AG sa sjedištem u Wettenbergu udružuju svoje stručno znanje u zajedničkom laboratoriju za proizvodnju kristala aluminijevog nitrida (AlN).
Kao prvi takav primjer u Europi, ovo partnerstvo omogućuje industrijski podržanu proizvodnju malih serija monokristalnih AlN supstrata promjera 2 inča za potrebe istraživanja i razvoja. To značajno poboljšava dostupnost AlN supstrata u Europi, što zauzvrat ubrzava razvoj uređaja i sustava temeljenih na AlN-u i njihov prijelaz na industrijske primjene.
Aluminijev nitrid jedan je od najperspektivnijih materijala za sljedeću generaciju visokoučinkovite elektronike. Kao poluvodič s ultraširokopojasnim procjepom (UWBG), AlN otvara nove mogućnosti u fotonici, energetskoj elektronici, visokofrekventnoj elektronici i elektronici koja radi u ekstremnim uvjetima. Do danas je nedostatak visokokvalitetnih, velikih i isplativih AlN podloga kočio razvoj elektroničkih sustava na bazi AlN-a.
„Sa Zajedničkim laboratorijem postavljamo temelje za osiguranje pouzdane opskrbe AlN supstratima iz Europe, čime otvaramo nove perspektive za sljedeću generaciju visokoučinkovitih AlN uređaja“, kaže dr. Sven Besendörfer, voditelj grupe za nitridne materijale i odgovoran za razvoj AlN materijala u Fraunhofer IISB-u. „Zajedno s PVA TePla doprinosimo našim stručnim znanjem u industrijskom rastu kristala, čime stvaramo preduvjete za prijenos na betonske primjene.“
Dokazana tehnologija opreme susreće se s vlasničkim procesnim znanjem
U zajedničkom laboratoriju, Fraunhofer IISB koristi vlastitu PVT (fizički transport pare) procesnu tehnologiju za proizvodnju AlN kristala veličine 2 inča. U ovom procesu, AlN prah se isparava u lončiću na temperaturama znatno iznad 2000 °C i taloži na kristalnu sjemenu. PVA TePla nudi PVT sustave za tu svrhu, koji se već koriste diljem svijeta za kristale silicijevog karbida (SiC) promjera 8 inča, a sada su posebno prilagođeni za rast AlN kristala veličine 2 inča.
Zahvaljujući stručnosti u procesu koju je doprinio Fraunhofer IISB, tim PVA TePla brzo je uspio proizvesti AlN kristale usporedive kvalitete u vlastitim pogonima. Zajednički laboratorij fokusira se na stabilnu proizvodnju malih serija AlN kristala od 2 inča. Proizvodnja se sada postupno povećava kako bi se sustavno optimizirala stabilnost procesa, ponovljivost, prinos i struktura troškova.
„S aluminijevim nitridom aktivno oblikujemo sljedeću generaciju tehnologije nakon SiC-a“, kaže dr. Jan Pfeiffer, potpredsjednik istraživanja i razvoja u PVA TePla. „Putem Zajedničkog laboratorija možemo izravno kombinirati našu stručnost u području opreme s procesnim znanjem Fraunhofer IISB-a, što nam omogućuje da našim globalnim kupcima u ranoj fazi ponudimo tržišno orijentirana rješenja“, dodaje. „Naš zajednički cilj je potaknuti razvoj tržišta u sektoru AlN putem prikladnih podloga i podržati tvrtke koje žele ući u ovo područje kao tehnološki partneri s pravom opremom i odgovarajućim procesnim znanjem.“
Jačanje europskog tehnološkog suvereniteta industrijskom skaliranjem
Kristali AlN proizvedeni u Zajedničkom laboratoriju dalje se obrađuju u Fraunhofer IISB-u u epi-spremne AlN supstrate te se, putem tvrtke za istraživanje i razvoj proizvoda LZE GmbH sa sjedištem u Erlangenu, posebno prenose u procese industrijskog razvoja i skaliranja. „Za europski suverenitet poluvodiča ključno je ne samo da se novi ključni materijali razvijaju, već i da se brzo prenose u industrijske primjene i stvaranje skalabilne vrijednosti“, kaže generalni direktor LZE-a dr. Christian Forster. „Sa svojim tržištem za najsuvremenije tehnologije, LZE GmbH tvrtkama i istraživačkim institucijama pruža globalno jedinstven i otvoren pristup AlN supstratima. Na taj način pomažemo u osiguravanju da se obećavajuće primjene za industrijska tržišta velikih količina brže plasiraju na tržište.“
Vrijeme objave: 20. srpnja 2026.